Corsi di Laurea Corsi di Laurea Magistrale Corsi di Laurea Magistrale
a Ciclo Unico
Scuola di Ingegneria
INGEGNERIA ELETTRONICA
Insegnamento
MICROELETTRONICA
INN1028641, A.A. 2017/18

Informazioni valide per gli studenti immatricolati nell'A.A. 2017/18

Principali informazioni sull'insegnamento
Corso di studio Corso di laurea magistrale in
INGEGNERIA ELETTRONICA
IN0520, ordinamento 2008/09, A.A. 2017/18
N0
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Crediti formativi 9.0
Tipo di valutazione Voto
Denominazione inglese MICROELECTRONICS
Dipartimento di riferimento Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione (DEI)
Sito E-Learning https://elearning.dei.unipd.it/course/view.php?idnumber=2017-IN0520-000ZZ-2017-INN1028641-N0
Obbligo di frequenza No
Lingua di erogazione ITALIANO
Sede PADOVA
Corso singolo È possibile iscriversi all'insegnamento come corso singolo
Corso a libera scelta È possibile utilizzare l'insegnamento come corso a libera scelta

Docenti
Responsabile ANDREA NEVIANI ING-INF/01

Dettaglio crediti formativi
Tipologia Ambito Disciplinare Settore Scientifico-Disciplinare Crediti
CARATTERIZZANTE Ingegneria elettronica ING-INF/01 9.0

Organizzazione dell'insegnamento
Periodo di erogazione Secondo semestre
Anno di corso I Anno
Modalità di erogazione frontale

Tipo ore Crediti Ore di
didattica
assistita
Ore Studio
Individuale
LEZIONE 9.0 72 153.0

Calendario
Inizio attività didattiche 26/02/2018
Fine attività didattiche 01/06/2018
Visualizza il calendario delle lezioni Lezioni 2019/20 Ord.2019

Commissioni d'esame
Commissione Dal Al Membri
8 A.A. 2018/2019 01/10/2018 15/03/2020 NEVIANI ANDREA (Presidente)
MENEGHESSO GAUDENZIO (Membro Effettivo)
BEVILACQUA ANDREA (Supplente)
GERARDIN SIMONE (Supplente)
GEROSA ANDREA (Supplente)
MENEGHINI MATTEO (Supplente)
VOGRIG DANIELE (Supplente)
ZANONI ENRICO (Supplente)
7 A.A. 2017/2018 01/10/2017 15/03/2019 NEVIANI ANDREA (Presidente)
MENEGHESSO GAUDENZIO (Membro Effettivo)
BEVILACQUA ANDREA (Supplente)
GERARDIN SIMONE (Supplente)
GEROSA ANDREA (Supplente)
MENEGHINI MATTEO (Supplente)
VOGRIG DANIELE (Supplente)
ZANONI ENRICO (Supplente)
6 A.A. 2016/2017 01/10/2016 15/03/2018 NEVIANI ANDREA (Presidente)
BEVILACQUA ANDREA (Membro Effettivo)
CESTER ANDREA (Supplente)
GEROSA ANDREA (Supplente)
MENEGHINI MATTEO (Supplente)
ZANONI ENRICO (Supplente)

Syllabus
Prerequisiti: È richiesta una buona conoscenza delle materie di base (Matematica e Fisica). Per una migliore comprensione della struttura a bande di energia dei semiconduttori è utile avere seguito un esame che approfondisca la fisica dell’atomo e dei solidi. Nelle prime lezioni del corso verrà comunque fatta un'introduzione a questi argomenti in modo da fornire a tutti gli strumenti necessari a seguire il corso.
Conoscenze e abilita' da acquisire: Lo scopo del corso è introdurre lo studente alla fisica dei dispositivi a stato solido, approfondire i modelli che ne descrivono il comportamento e le tecnologie di fabbricazione dei circuiti integrati.

Verranno studiati i dispositivi elementari (diodi metallo semiconduttore, o Schottky e giunzione pn) per poi passare alla descrizione dettagliata del dispositivo MOSFET.

Verranno descritti tutti i processi tecnologici necessari per la produzione dei dispositivi elettronici e dei circuiti integrati.

Saranno anche messi in evidenza i principali elementi di non idealità che influenzano il comportamento dei dispositivi (capacita parassite, tempi di ritardo, effetti di canale corto e canale stretto del MOSFET, ecc.)
Modalita' di esame: L'esame prevede una prova scritta e una seconda prova che consiste, a scelta dello studente:
- nella discussione di una relazione sulle misure effettuate sui dispositivi del laboratorio virtuale che verrà illustrato durante il corso);
- in una prova orale su tutto il programma del corso
Criteri di valutazione: I criteri di valutazione si basano sulla verifica della comprensione degli aspetti teorici della materia e sulla capacità di risolvere problemi numerici relativi ai modelli fisici dei dispositivi.
Contenuti: 1. Cenni di fisica dei semiconduttori.

2. Contatti metallo/semiconduttore: struttura a bande e caratteristica corrente/tensione; contatti Schottky non rettificanti (ohmici).

3. Giunzione pn: comportamento statico, breakdown della giunzione, calcolo della corrente nella giunzione pn e caratteristica corrente-tensione, comportamento dinamico.

4. Il sistema metallo/ossido/semiconduttore (MOS): condensatori MOS: struttura a bande, proprietà elettriche e carica all'interfaccia e nell'ossido.

5. Il transistor MOS: struttura, caratteristiche statiche e dinamiche. Non idealità del dispositivo MOSFET (correnti di sottosoglia, effetti di canale corto e stretto).

6. Tecnologia di fabbricazione di circuiti integrati CMOS: crescita del Silicio, ossidazione, crescita di strati epitassiali deposizione di film sottili (ossidi, metalli, silicio policristallino), fotolitografia, etching, drogaggio per diffusione e per impiantazione.
Attivita' di apprendimento previste e metodologie di insegnamento: Il corso è organizzato in lezioni frontali di cui circa due terzi dedicate allo studio dei concetti base e dei contenuti teorici della materia, un terzo dedicate all’analisi di esempi pratici e alla soluzione di problemi numerici. I concetti base e i contenuti teorici verranno presentati sia con la proiezione di diapositive che, per quanto riguarda gli argomenti che richiedono analisi matematiche più complesse, alla lavagna.
Durante il corso ci saranno alcune esperienze di laboratorio, che consistono nella misura di dispositivi reali e nell'estrazione dei parametri dei modelli.
Eventuali indicazioni sui materiali di studio: La presentazione degli argomenti del corso segue il testo R. S. Muller, T. I. Kamins, “Device Electronics for Integrated Circuits”. --: Wiley, 2003. Third edition.
E' inoltre a disposizione degli studenti un eserciziario ricco di esempi tratti da temi di esame dati negli anni precedenti.
Infine, è disponibile un sito web (elearning) dal quale è possibile scaricare tutto il resto del materiale necessario e la raccolta dei temi di esame dati negli ultimi anni.
Testi di riferimento:
  • R. S. Muller, T. I. Kamins, Device Electronics for Integrated Circuits. --: Wiley, 2003. Cerca nel catalogo
  • G. Meneghesso, Esercitazioni di Microelettronica. Padova: Ed. Progetto, 2007, --. Cerca nel catalogo